Analyseur de composants

identification automatique des composants
l'identification automatique des broches des bornes
identification des caractéristiques spéciales telles que la détection des diodes de protection et des résistances de shunt
transistors bipolaires : mesure du gain et de la perte de courant, détection du silicium ou du germanium
mesure de la tension de seuil pour les MOSFET en mode enrichissement
mesure de la tension de conduction des diodes, des DEL et des jonctions base-émetteur des transistors
mise hors tension automatique et manuelle
Résumé des spécifications à 20°C (68°F), sauf indication contraire
courant de court-circuit de crête (ISC) : -5,5 mA à 5,5 mA
tension de crête en circuit ouvert (VOC) : -5,1 V à 5,1 V
transistor :
plage de gain (HFE) : 4 - 65 000
précision du gain : ± 3 % ± 5 Hfe
tension d'essai collecteur-émetteur (VCEO) : 2,0 V - 3,0 V
précision de la tension de l'émetteur de base VBE : -2% -20 mV à +2% + 20 mV
tension émetteur de base VBE pour transistor Darlington (shunté) : 0,95 V - 1,80 V (0,75 V - 1,80 V)
seuil de résistance de shunt base-émetteur : 50 k&Omega ; - 70 k&Omega ;
Courant d'essai du collecteur du BJT : 2,45 mA - 2,55 mA
courant de fuite acceptable du BJT : 0,7 mA
MOSFET :
plage de tension grille-source : 0,1 V - 5,0 V
précision du seuil : -2% -20 mV à +2% +20 mV
courant de drain : 2,45 mA - 255 mA
résistance de grille : 8 k&Omega ;
courant de test d'épuisement du drain : 4,5 mA
tension d'essai drain-source du JFET : 0,5 mA - 5,5 mA
thyristor/Triac :
courant de grille : 4,5 mA
courant de maintien : 5,0 mA
diode :
courant d'essai : 5,0 mA
précision de la tension : -2% -20 mV à +2% +20 mV
tension de conduction pour l'identification des DEL : 1,50 V - 4,00 V
seuil de court-circuit : 10 &Omega ;
batterie :
type : MN21 / L1028 / GP23A 12 V alcaline
plage de tension : 7,50 V - 12 V
seuil d'alarme : 8,25 V
dimensions : 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
Poids par produit (net) : 0.098kg (3.5oz)
température de fonctionnement : 0°C~50°C (32F ~ 122F)